Памяти Жореса Ивановича Алфёрова

Ушёл из жизни академик Российской академии наук, лауреат Нобелевской премии, Почётный профессор ГрГУ имени Янки Купалы Жорес Иванович Алфёров. Учёный с мировым именем, доктор физико-математических наук, профессор умер на 89-м году жизни.

Руководство и многотысячный коллектив Гродненского государственного университета имени Янки Купалы выражает искренние соболезнования родным и близким, коллегам Жореса Ивановича Алфёрова и разделяет с ними печаль и боль невосполнимой утраты. Память о великом учёном навсегда будет жить в сердцах купаловцев.

В 2011 году Жорес Иванович Алфёров побывал в Гродно и посетил купаловский университет, где встретился со студентами и прочитал лекцию «Полупроводниковая революция XX века». Прямую трансляцию этой встречи увидели в медицинском университете.

Наталья Дмитриевна Стрекаль, профессор кафедры общей физики, доктор физикоматематических наук, профессор:

– Мне приходилось неоднократно встречаться с Жоресом Ивановичем на международных научных конференциях в Минске, которые он посещал с большим энтузиазмом, делал яркие доклады. Особенно запомнился его пленарный доклад на конференции «Россия – Беларусь – Сколково: единое инновационное пространство» в сентябре 2012 года. Тема доклада была обозначена как «Полупроводниковая революция» и употребление революционной терминологии действительно отвечало сути его научной работы. В этой полупроводниковой революции он был одним из основных центральных действующих лиц, если не сказать организатором и вождём. О том, насколько эта революция изменила наш мир, можно судить по словам Гордона Мура, автора известного закона Мура, одного из основателей компании Intel: «Если бы автомобилестроение развивалось бы со скоростью эволюции полупроводниковой промышленности, то сегодня «Ролс-Ройс» мог бы проехать полмиллиона миль на одном галлоне бензина, и дешевле было бы его выбросить, чем платить за парковку».

Жорес Иванович рассказывал об эпохальных научных открытиях как эпизодах своей личной дружбы с коллегами из США и Европы, где каждое имя – это история физики XX века. В наш контактно-социальный век остается только удивляться, как такая дружба между потенциальными научными оппонентами могла сложиться в период почти полной изоляции, так называемого «железного занавеса», век отсутствия скоростного интернета и крайне ограниченных возможностей выезда за рубеж.

И, конечно, ярким был его визит в наш университет. Мне выпала честь представить результаты своей докторской диссертации на научном семинаре с участием Жореса Ивановича Алфёрова. Живой интерес и позитивный отклик, отмеченный им лично впоследствии на заседании Совета университета, были предсказуемыми, поскольку предметом наших исследований также являются полупроводниковые гетероструктуры, основу которых он сам заложил в своей полупроводниковой революции. Я получила приглашение выступить с докладом на возглавляемой им кафедре оптоэлектроники ЛЭТИ. Евгений Алексеевич Ровба, будучи ректором университета в то время, даже предлагал профинансировать мою поездку в Санкт-Петербург, но я не нашла на это времени в своём плотном графике накануне защиты докторской диссертации и, конечно, сейчас об этом очень сожалею. На светлую память осталась авторская презентация Жореса Ивановича, которую я использую в своих спецкурсах по основам современных производственных технологий и основам нанотехнологий.

Дмитрий Викторович Гузатов, доцент кафедры общей физики, кандидат физико-математических наук, доцент:

– Сложно переоценить тот вклад, который внёс Жорес Иванович Алфёров в физику. Его работы стали основой для разработки полупроводниковых приборов на гетероструктурах. Прежде всего, здесь речь идёт о полупроводниковых лазерах, которые очень прочно вошли в нашу жизнь. В гетероструктурах, состоящих из нескольких различных полупроводников, совершается гетеропереход, при котором происходит увеличение концентрации носителей заряда. Этот эффект позволяет превзойти свойства полупроводниковых гомоструктур, которые активно исследовались до работ Жорес Иванович Алфёрова. В 2000 году за свои фундаментальные работы Жорес Иванович был удостоен Нобелевской премии по физике.

Я хорошо помню тот день, когда Жорес Иванович Алфёров приехал в наш университет. Руководство вуза, преподаватели, студенты очень трепетно ожидали этот визит. И вот Жорес Иванович в Гродненском государственном университете имени Янки Купалы. Сначала состоялась его встреча с ректоратом университета. Потом для широкой аудитории он прочитал интересную лекцию о развитии физики полупроводников, где не только рассказал об истории, но и сделал акцент на задачах, которые будут стоять перед учёными в будущем. Мне посчастливилось быть на этой лекции.

Жорес Иванович всех поразил своей эрудированностью, внимательным отношением к аудитории. Как и любой выдающийся учёный, он не только затрагивал вопросы в научной области, но и рассказывал о жизни в целом, о её правильном понимании. Многим было интересно узнать его позицию.

Затем я был приглашён на встречу, на которой Жорес Иванович знакомился с работами физиков нашего университета. Надо сказать, что как раз в это время я был удостоен премии Алфёровского фонда за свои научные работы, посвящённые световому давлению на наночастицы. Эта премия вручается молодым учёным за значительный вклад в физику. Среди прочих перед Жоресом Ивановичем выступил и я, где рассказал о своей работе. Ему очень понравился доклад Натальи Дмитриевны Стрекаль, после которого он сделал вывод о том, что работы учёных нашего университета представляют большой интерес для физики. Это, безусловно, очень высокая оценка.

После всех выступлений мы начали расходиться, и на выходе Жорес Иванович пожал мне руку. Это рукопожатие я буду помнить долго и воспринимаю его как пожелание дальнейшего научного роста и успехов в научной работе.

Российский физик, академик, иностранный член Национальной академии наук Беларуси и многих академий мира Жорес Алфёров родился в 1930 году в Витебске. В 1947 году с золотой медалью окончил школу в Минске, на первом курсе обучался в Белорусском политехническом институте, откуда перевёлся в Ленинградский электротехнический институт (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет) имени В.И. Ульянова (Ленина). В 1952 году с отличием окончил его по специальности «Электровакуумная техника». С 1953 года работал в Ленинградском физико-техническом институте (ныне Физикотехнический институт имени А.Ф. Иоффе РАН). В 1987-2003 годах был директором, в 2003-2006 годах – научным руководителем института. В 1988-2004 годах – декан физико-технического факультета Ленинградского, затем – Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. В 2004 году основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и телекоммуникаций университета, до настоящего момента руководил им. Основные направления научной деятельности – физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Автор более 600 научных работ, 3 монографий, 50 изобретений. В 2000 году Жорес Алфёров вместе с американскими учёными Джеком Килби и Гербертом Кремером удостоились Нобелевской премии по физике. Жорес Алфёров и Герберт Кремер получили её за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике, Джек Килби – за участие в изобретении интегральной схемы. Жорес Алфёров учредил Фонд поддержки образования и науки, в основание которого вложил треть полученной им Нобелевской премии. Целью фонда является поддержка фундаментальных исследований в области физики, необходимых для развития экономики.